ข่าวล่าสุดรายงานว่า Hynix ได้เปิดตัวแรม 2Gb (Gigabit) DDR4 DRAM และ ECC-SODIMM (Error Check & Correction Small Outline Dual In-Line Memory Module) ซึ่งเป็นแรมที่มีพื้นฐานทางเทคโนโลยีมาจาก DDR4 แล้ว โดยทั้งคู่ใช้กระบวนการผลิต 30 นาโนเมตร รองรับมาตรฐาน JEDEC และได้รับการออกแบบมาเพื่อเซิร์ฟเวอร์ขนาดเล็ก
จุดเด่นของแรม DDR4 ที่กำลังจะกลายมาเป็นมาตรฐานในอนาคตอันใกล้คือใช้พลังงานน้อยกว่าแต่สามารถรับส่งข้อมูลเร็วกว่า DDR3 รุ่นปัจจุบัน โดยรุ่นที่เร็วสุดคือ 2400Mbps (Megabits per second) ซึ่งมากกว่า DDR3 1333Mbps ถึง 80% แต่กินพลังงานเพียง 1.2V เท่านั้น และสามารถรับส่งข้อมูลคิดเป็น GB (Gigabytes) ได้มากสุดถึง 19.2GB ต่อวินาทีภายใต้การทำงาน 64 บิต
ทาง Hynix เตรียมเดินสายการผลิตแรม DDR4 เป็นจำนวนมากในช่วงครึ่งหลังของปี 2012 ในขณะที่ iSuppli บริษัทวิจัยด้านการตลาดชื่อดังคาดว่า สัดส่วนของแรม DDR4 จะเพิ่มขึ้นจาก 5% ในปี 2013 เป็น 50% ภายในปี 2015 และจะกลายเป็นมาตรฐานในที่สุด ในขณะเดียวกันสัดส่วนของแรม DDR3 จะขึ้นสู่จุดสูงสุดที่ 71% ในปี 2012 และจะค่อยๆ ลดลงเหลือ 49% ภายในปี 2014 ครับ
http://expo.i3.in.th/content/view/5326
หัวข้อ: Hynix เปิดตัวแรม DDR4 พร้อมเดินสายการผลิตปีหน้า (อ่าน 3175 ครั้ง)